I. Present status and problems of research in wide band gap II-VI semiconductor compounds
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
Size effects on the band-gap of semiconductor compounds
Based on a thermodynamic model for size-dependent melting temperature, the size-dependent band-gap of low dimensional semiconductor compounds is modeled without any adjustable parameter. The model predicts an increase of the band-gap of nanoparticles and nanowires for IIBVIB and IIIB-VB semiconductor compounds, with decreasing their size, which is supported by available experimental and other t...
متن کاملWide Band Gap Semiconductor Devices for Power Electronics
It is worldwide accepted today that a real breakthrough in the Power Electronics field may mainly come from the development and use of Wide Band Gap (WBG) semiconductor devices. WBG semiconductors such as SiC, GaN, and diamond show superior material properties, which allow operation at high-switching speed, high-voltage and high-temperature. These unique performances provide a qualitative chang...
متن کاملProposal and verification of a new visible light emitter based on wide band gap II-VI semiconductors
We propose a new device structure for obtaining visible light emission from wide band gap semiconductors. This heterojunction structure avoids ohmic contacting problems by using only the doping types which tend to occur naturally in II-VI semiconductors, while using a novel injection scheme to obtain efficient minority carrier injection into the wider band gap semiconductor. To verify this prop...
متن کاملsynthesis of 3-aryl-2h-benzo[b]-1,4-oxazines in [omim]bf4 and reduction of organic compounds in methylimidazolium formate
در این پروژه ترکیبات 3-آریل-2h-بنزو[b]-4،1-اکسازین ها از مواد اولیه تجاری مشتقات دو آمینو فنول و ?-هالو کتون های آروماتیک در مایع یونی 1-اکتیل-3-متیل ایمیدازولیوم تترا فلورو بورات([omim]bf4) سنتز شده است. این واکنش توسط باز پتاسیم کربنات محلول از طریق o-آلکیلاسیون و سپس یک واکنش آمیداسیون درون مولکولی خود بخود در مدت زمان کوتاه انجام می شود. ترکیبات 4،1-بنزوکسازین به این روش با بهره خوب تا آلی ...
15 صفحه اولذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems
سال: 1994
ISSN: 0385-4221,1348-8155
DOI: 10.1541/ieejeiss1987.114.12_1215